當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管芯片）。

首先我們先來了解一下。它是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，它擁有的特性是：高輸入阻抗，可采用通用低成本的驅動線路；高速開關特性；導通狀態低損耗。IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點：驅動功率小而飽和壓降低，是一種適合于中、大功率應用的電力電子器件。IGBT在綜合性能方面占有明顯優勢，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

所以不難看出，IGBT對新能源汽車的價值所在就是在直流充電樁和電機系統的作用之大，它決定了電機的工作效率以及直流充電樁的傳輸效率。IGBT約占電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統占整車成本的15－20％，也就是說IGBT占整車成本的7－10％，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。

IGBT的應用范圍很廣，不僅電機驅動要用IGBT，新能源的發電機和空調部分一般也需要IGBT。所以一些主機廠把這一塊的開發牢牢控制在了自己的手上，比如豐田的混合動力汽車便是如此。而豐田也成為了世界唯一能自主生產IGBT的廠家。

不僅是新能源車，直流充電樁和機車（高鐵）的核心也是IGBT管，直流充電樁30％的原材料成本就是IGBT。電力機車一般需要 500 個 IGBT 模塊，動車組需要超過 100 個 IGBT 模塊，一節地鐵需要 50－80 個 IGBT 模塊。

三菱電機的HVIGBT已經成為業內默認的標準，中國的高速機車用IGBT由三菱完全壟斷，同時歐洲的阿爾斯通、西門子、龐巴迪也是一半以上采用三菱電機的IGBT。

除了日系廠家，英飛凌包攬了幾乎所有電動車的IGBT，而三菱電機則沉醉于中國高鐵的豐厚利潤中無法自拔，在低于2500V市場幾乎一無所獲。

2016年全球電動車銷量大約200萬輛，共消耗了大約9億美元的IGBT管，平均每輛車大約450美元，是電動車里除電池外最昂貴的部件。

其中，混合動力和PHEV大約77萬輛，每輛車需要大約300美元的IGBT，純電動車大約123萬輛，平均每輛車使用540美元的IGBT，大功率的純電公交車用的IGBT可能超過1000美元。

和MOS相比，IGBT管在低于400伏的低壓領域完全無優勢，無論開關頻率還是成本，MOS優勢都非常明顯。400伏領域，安森美剛剛收購的仙童半導體居于領導地位。

汽車主要是600V到1200V之間，英飛凌具有壓倒性優勢，安森美雖然在600V－1200V領域也有市場，但主要是非車載領域。三菱和富士電機，則分享了日本市場。而豐田混動所用的IGBT全部內部完成，不假手外人。

在電動車上，可以把電機看成壓縮機。兩者原理幾乎完全一致。主要是通過脈沖寬度調制（PWM）的方式控制IGBT開關，將電流從DC轉換到AC（電池到電機，驅動電機）或者從AC轉化到DC（電機到電池，剎車、下坡時能量回收）對于混合動力，除驅動電機外，另外還有一個發電機，可以由汽車的發動機帶動其發電，然后通過IGBT模塊AC／DC轉換后向電池充電。在DM車型中，該發電機還可以充當驅動電機的作用。

IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。模塊的3個基本特征：多個芯片以絕緣方式組裝到金屬基板上；空心塑殼封裝，與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂，以及其他可能的軟性絕緣材料；同一個制造商、同一技術系列的產品，IGBT模塊的技術特性與同等規格的IGBT 單管基本相同。

模塊的主要優勢有以下幾個：多個IGBT芯片并聯，IGBT的電流規格更大。多個IGBT芯片按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。多個IGBT芯片處于同一個金屬基板上，等于是在獨立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。一個模塊內的多個IGBT芯片經過了模塊制造商的篩選，其參數一致性比市售分立元件要好。模塊中多個IGBT芯片之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一制造商的同系列產品，模塊的最高電壓等級一般會比IGBT 單管高1－2個等級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規格的產品

晶圓上的一個最小全功能單元稱為Cell，晶圓分割后的最小單元，構成IGBT 單管或者模塊的一個單元的芯片單元，合稱為IGBT的管芯。

一個IGBT管芯稱為模塊的一個單元，也稱為模塊單元、模塊的管芯。模塊單元與IGBT管芯的區別在最終產品，模塊單元沒有獨立的封裝，而管芯都有獨立的封裝，成為一個IGBT管。

最近還出了一種叫IPM的模塊，把門級驅動和保護電路也封裝進IGBT模塊內部，結構雖然很簡單但是工作頻率不能太高。所以應用的較少，姑且不談。

雖然單管的成本要遠低于模塊，但是單管的可靠性遠不及模塊。在電動車領域，模塊已經被大規模應用，但有一些例外就是咱們中國特色主義的老年代步車還有特斯拉還是堅持用單管。不由得感慨特斯拉對成本的重視程度遠高于對人命的重視程度。

特斯拉Model X使用132個IGBT管，由英飛凌提供，其中后電機為96個，前電機為36個，每個單管的成本大約4－5美元，合計大約650美元。

如果改用模塊的話，估計需要12－16個模塊，成本大約1200－1600美元。特斯拉使用單管的原因主要是成本，尤其是其功率比一般的電動車要大不少，加上設計開發周期短，不得不采用單管設計。

相比寶馬I3，采用英飛凌新型HybridPACK 2模塊設計，每個模塊內含6個單管型IGBT，750V／660A，電流超大，只需要兩個模塊即可，體積大大縮小，成本大約300美元。采用英飛凌的新型HybridPACK 2模塊設計，每個模塊內含6個單管型IGBT，750V／660A，電流超大，只需要兩個模塊即可，體積大大縮小

而IGBT工藝的關鍵在于散熱和背板工藝。IGBT的正面工藝和標準BCD的LDMOS沒區別，區別在背面，背面工藝有幾點，首先是減薄，大約需要減薄6－8毫米，減得太多容易碎片，減得太少沒有效果。接下來是離子注入，注入一層薄磷做緩沖層，第四代需要兩次注入磷，本來硅片就很薄了，兩次注入很容易碎片。然后是清洗，接下來金屬化，在背面蒸鍍一層鈦或銀，最后是Alloy，因為硅片太薄，很容易翹曲或碎片。英飛凌特別擅長這種技術，所以做出來的體積是同行難以逾越的目標。

最后扯一下散熱，首先需要提高 IGBT模塊內部的導熱導電性能和耐受功率循環的能力， IGBT模塊內部引線技術經歷了粗鋁線鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過程，提高了載流密度。第二點，新的焊接工藝，傳統焊料為錫鉛合金， 成本低廉、工藝簡單， 但存在環境污染問題， 且車用功率模塊的芯片溫度已經接近錫鉛焊料熔點（220℃）。所以一個小小的器件對新能源汽車的發展做出了不可磨滅的貢獻，對我國的汽車制造業而言，還有很多路要走。